maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - Photodiodes / PDI-G103
Référence fabricant | PDI-G103 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PDI-G103 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDI-G103 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Longueur d'onde | 880nm |
Couleur - Améliorée | - |
Gamme spectrale | 840nm ~ 940nm |
Type de diode | - |
Responsivité @ nm | - |
Temps de réponse | 1µs |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Sombre (Typ) | 200pA |
Zone active | 0.79mm² |
Angle de vue | 65° |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-46-2 Metal Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDI-G103 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDI-G103-FT |
PDB-C612-1
Advanced Photonix
PDB-C612-3
Advanced Photonix
PDB-C613-1
Advanced Photonix
PDB-C613-3
Advanced Photonix
PDB-C614-1
Advanced Photonix
PDB-C614-2
Advanced Photonix
PDB-C614-3
Advanced Photonix
PDB-C615-1
Advanced Photonix
PDB-C615-3
Advanced Photonix
PDB-C616-1
Advanced Photonix
XC7K70T-1FBG676C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40AL-1DQC
Microchip Technology
EP4CE55F23C8L
Intel
5SGXMA7N3F45C2LN
Intel
M2GL060TS-FGG676
Microsemi Corporation
EP1S30F780C6N
Intel
10AX032E1F27E1HG
Intel
EP3C40F324C6
Intel
EP1SGX40DF1020C5
Intel