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Référence fabricant | PD85025-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD85025-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD85025-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 870MHz |
Gain | 17.3dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 7A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 300mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD85025-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD85025-E-FT |
ATF-501P8-BLK
Broadcom Limited
ATF-511P8-BLK
Broadcom Limited
ATF-511P8-TR1
Broadcom Limited
ATF-511P8-TR2
Broadcom Limited
ATF-331M4-BLK
Broadcom Limited
ATF-331M4-TR1
Broadcom Limited
ATF-331M4-TR2
Broadcom Limited
ATF-541M4-BLK
Broadcom Limited
ATF-541M4-TR1
Broadcom Limited
ATF-541M4-TR2
Broadcom Limited
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel