maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PD85006-E
Référence fabricant | PD85006-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD85006-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD85006-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 870MHz |
Gain | 17dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 2A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 200mA |
Puissance - sortie | 6W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PowerSO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD85006-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD85006-E-FT |
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
NE34018-T1-A
CEL
SPF-3143
RFMD
MMBF4416A
ON Semiconductor
MMBF5486
ON Semiconductor
MMBF4416
ON Semiconductor
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel