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Référence fabricant | PD84010S-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD84010S-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD84010S-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 870MHz |
Gain | 16.3dB |
Tension - Test | 7.5V |
Note actuelle | 8A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 300mA |
Puissance - sortie | 2W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD84010S-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD84010S-E-FT |
BF2040WE6814HTSA1
Infineon Technologies
BF2040WH6814XTSA1
Infineon Technologies
BF5020WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BF5020WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BF5030WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BF5030WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BF904AWR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,135
NXP USA Inc.
BF908WR,115
NXP USA Inc.
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC4006E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel