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Référence fabricant | PD57060S-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD57060S-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD57060S-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 945MHz |
Gain | 14.3dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 7A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 100mA |
Puissance - sortie | 60W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57060S-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD57060S-E-FT |
ATF-54143-TR2G
Broadcom Limited
ATF-55143-BLKG
Broadcom Limited
ATF-55143-TR1
Broadcom Limited
ATF-55143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-55143-TR2G
Broadcom Limited
ATF-58143-BLKG
Broadcom Limited
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022C4U19I3LG
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC3090L-8PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel