maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PD57030-E
Référence fabricant | PD57030-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD57030-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD57030-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 945MHz |
Gain | 14dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 4A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 50mA |
Puissance - sortie | 30W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PowerSO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57030-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD57030-E-FT |
BF904WR,135
NXP USA Inc.
BF908WR,115
NXP USA Inc.
BF909AWR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
NE34018-T1-A
CEL
LCMXO256E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4VFX100-10FF1517I
Xilinx Inc.
XC2VP2-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5CEFA7U19A7N
Intel
10AX066N1F40I1SG
Intel