maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PD57018-E
Référence fabricant | PD57018-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD57018-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD57018-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 945MHz |
Gain | 16.5dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 2.5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 100mA |
Puissance - sortie | 18W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PowerSO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57018-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD57018-E-FT |
BF5020WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BF5030WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BF5030WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BF904AWR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,135
NXP USA Inc.
BF908WR,115
NXP USA Inc.
BF909AWR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,135
NXP USA Inc.
EP4CE15F23C6
Intel
EP1S10F484C5
Intel
EP4SE360H29I3N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
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Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6F23I7N
Intel
10AX115N3F45E2LG
Intel
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Intel