maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PD57006-E
Référence fabricant | PD57006-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD57006-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD57006-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 945MHz |
Gain | 15dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 1A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 70mA |
Puissance - sortie | 6W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57006-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD57006-E-FT |
ATF-511P8-TR1
Broadcom Limited
ATF-511P8-TR2
Broadcom Limited
ATF-331M4-BLK
Broadcom Limited
ATF-331M4-TR1
Broadcom Limited
ATF-331M4-TR2
Broadcom Limited
ATF-541M4-BLK
Broadcom Limited
ATF-541M4-TR1
Broadcom Limited
ATF-541M4-TR2
Broadcom Limited
ATF-551M4-BLK
Broadcom Limited
ATF-551M4-TR1
Broadcom Limited
AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP10C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
EPF10K10QC208-4N
Intel