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Référence fabricant | PD55035STR-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD55035STR-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD55035STR-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 500MHz |
Gain | 16.9dB |
Tension - Test | 12.5V |
Note actuelle | 7A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 200mA |
Puissance - sortie | 35W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD55035STR-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD55035STR-E-FT |
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
BF1202WR,135
NXP USA Inc.
BF1211WR,115
NXP USA Inc.
BF1212WR,115
NXP USA Inc.
BF1217WR,115
NXP USA Inc.
BF2030WE6814BTSA1
Infineon Technologies
BF2030WH6814XTSA1
Infineon Technologies
BF2030WH6824XTMA1
Infineon Technologies
EP1K50TC144-1N
Intel
A54SX16A-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7N
Intel
EP4CE22F17C8L
Intel
XC4028XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C7N
Intel
EPF10K100EQC208-1
Intel