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Référence fabricant | PD55035S-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD55035S-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD55035S-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 500MHz |
Gain | 16.9dB |
Tension - Test | 12.5V |
Note actuelle | 7A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 200mA |
Puissance - sortie | 35W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD55035S-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD55035S-E-FT |
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
BF1202WR,135
NXP USA Inc.
BF1211WR,115
NXP USA Inc.
BF1212WR,115
NXP USA Inc.
BF1217WR,115
NXP USA Inc.
BF2030WE6814BTSA1
Infineon Technologies
BF2030WH6814XTSA1
Infineon Technologies
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8N
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation