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Référence fabricant | PD55008-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD55008-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD55008-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 500MHz |
Gain | 17dB |
Tension - Test | 12.5V |
Note actuelle | 4A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 8W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PowerSO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD55008-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD55008-E-FT |
BF904AWR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,115
NXP USA Inc.
BF904WR,135
NXP USA Inc.
BF908WR,115
NXP USA Inc.
BF909AWR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX45T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N2F40C1N
Intel
5SGXEBBR2H43I2L
Intel
5SGXMA9K3H40I3LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation