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Référence fabricant | PD20015S-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD20015S-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20015S-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 7A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 350mA |
Puissance - sortie | 15W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20015S-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20015S-E-FT |
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
BF1202WR,135
NXP USA Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
EP2C20F256I8
Intel
XC7K410T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFXP6C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
EP3C55F780C7
Intel