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Référence fabricant | PD20010STR-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD20010STR-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20010STR-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010STR-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20010STR-E-FT |
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
XCKU040-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-3
Intel
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C6N
Intel