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Référence fabricant | PD20010S-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20010S-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
EP1C3T144C7N
Intel
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8N
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I3
Intel