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Référence fabricant | PD20010S-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20010S-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
XC4005XL-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
5SGXEA7K2F35C3N
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
A40MX02-PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP2-5FFG672I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FF900C
Xilinx Inc.
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel