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PD20010-E Image

STMicroelectronics PD20010-E

Numéro de pièce MFG
PD20010-E
quantité disponible
70250 Pièces
Prix de référence
USD 14.536
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PD20010-E.pdf
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PD20010-E Caractéristiques

Référence fabricant PD20010-E
Numéro de pièce future FT-PD20010-E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PD20010-E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 2GHz
Gain 11dB
Tension - Test 13.6V
Note actuelle 5A
Figure de bruit -
Courant - Test 150mA
Puissance - sortie 10W
Tension - nominale 40V
Paquet / caisse PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Package d'appareils du fournisseur PowerSO-10RF (Formed Lead)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PD20010-E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PD20010-E-FT

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