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Référence fabricant | PD20010-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD20010-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20010-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20010-E-FT |
PTVA120251EA-V1
Cree/Wolfspeed
PTVA120251EA-V1-R250
Cree/Wolfspeed
CE3512K2-C1
CEL
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX45T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N2F40C1N
Intel
5SGXEBBR2H43I2L
Intel
5SGXMA9K3H40I3LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation