maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / PC81712NSZ
Référence fabricant | PC81712NSZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PC81712NSZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PC81712NSZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 160% @ 500µA |
Ratio de transfert actuel (max) | 400% @ 500µA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 10mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PC81712NSZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PC81712NSZ-FT |
H11A617A300
ON Semiconductor
H11A617B
ON Semiconductor
H11A617B300
ON Semiconductor
H11A617C
ON Semiconductor
H11A617C300
ON Semiconductor
H11A817
ON Semiconductor
H11A817300
ON Semiconductor
H11A817A
ON Semiconductor
H11A817A300
ON Semiconductor
H11A817B
ON Semiconductor
XC7K325T-1FBG676C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
10M08DAF256I7G
Intel
10M40DCF256A7G
Intel
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
XC6VLX365T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-3AA
Intel