maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / PC81712NSZ
Référence fabricant | PC81712NSZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PC81712NSZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PC81712NSZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 160% @ 500µA |
Ratio de transfert actuel (max) | 400% @ 500µA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 10mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PC81712NSZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PC81712NSZ-FT |
H11A617A300
ON Semiconductor
H11A617B
ON Semiconductor
H11A617B300
ON Semiconductor
H11A617C
ON Semiconductor
H11A617C300
ON Semiconductor
H11A817
ON Semiconductor
H11A817300
ON Semiconductor
H11A817A
ON Semiconductor
H11A817A300
ON Semiconductor
H11A817B
ON Semiconductor
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256I
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208A
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation