maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / PBSS5130QAZ
Référence fabricant | PBSS5130QAZ |
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Numéro de pièce future | FT-PBSS5130QAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS5130QAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 325mW |
Fréquence - Transition | 170MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5130QAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS5130QAZ-FT |
PBHV8560ZX
Nexperia USA Inc.
PBHV9115Z,115
Nexperia USA Inc.
PBHV9215Z,115
Nexperia USA Inc.
PBSS301NZ,135
Nexperia USA Inc.
PBSS301PZ,135
Nexperia USA Inc.
PBSS303NZ,135
Nexperia USA Inc.
PBSS303PZ,135
Nexperia USA Inc.
PBSS304PZ,135
Nexperia USA Inc.
PBSS305NZ,135
Nexperia USA Inc.
PBSS306PZ,135
Nexperia USA Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel