maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / PBSS5130PAP,115
Référence fabricant | PBSS5130PAP,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PBSS5130PAP,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS5130PAP,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 280mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 510mW |
Fréquence - Transition | 125MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-HUSON-EP (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5130PAP,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS5130PAP,115-FT |
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
MBT6429DW1T1G
ON Semiconductor
SBC856BDW1T1G
ON Semiconductor
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor
MBT3946DW1T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDW1T1G
ON Semiconductor
XC4006E-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-5CS280C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C1N
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC4020XL-3BG256C
Xilinx Inc.
AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3
Intel