maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / PBSS5112PAP,115
Référence fabricant | PBSS5112PAP,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PBSS5112PAP,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS5112PAP,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 480mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 510mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-HUSON-EP (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5112PAP,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS5112PAP,115-FT |
BC848CDW1T1G
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