maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / PBSS4260QAZ
Référence fabricant | PBSS4260QAZ |
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Numéro de pièce future | FT-PBSS4260QAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS4260QAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 190mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 2A, 2V |
Puissance - Max | 325mW |
Fréquence - Transition | 180MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4260QAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS4260QAZ-FT |
PBSS5240ZX
Nexperia USA Inc.
PBSS5360ZX
Nexperia USA Inc.
PBHV9040ZF
Nexperia USA Inc.
BCP51,115
Nexperia USA Inc.
BCP51-10,135
Nexperia USA Inc.
BCP51-16,135
Nexperia USA Inc.
BCP52,135
Nexperia USA Inc.
BCP52-16,115
Nexperia USA Inc.
BCP53-10,115
Nexperia USA Inc.
BCP53-10,135
Nexperia USA Inc.
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation