maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / PBSS4160PANP,115
Référence fabricant | PBSS4160PANP,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PBSS4160PANP,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS4160PANP,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN, PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 510mW |
Fréquence - Transition | 175MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-HUSON-EP (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4160PANP,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS4160PANP,115-FT |
SBC857BDW1T1G
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