maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PBRN113ZS,126
Référence fabricant | PBRN113ZS,126 |
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Numéro de pièce future | FT-PBRN113ZS,126 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBRN113ZS,126 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 700mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRN113ZS,126 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBRN113ZS,126-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
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FJN3311RBU
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EP1C6T144C8
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EPF6016ATC144-1N
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Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
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