maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PBLS6021D,115
Référence fabricant | PBLS6021D,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PBLS6021D,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBLS6021D,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA, 1.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V, 60V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V / 140 @ 1A, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA, 100nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 760mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBLS6021D,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBLS6021D,115-FT |
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Intel
5SGSMD5H3F35I3N
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Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
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