maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / P6SMB200AHE3/5B
Référence fabricant | P6SMB200AHE3/5B |
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Numéro de pièce future | FT-P6SMB200AHE3/5B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, P6SMB, TransZorb® |
P6SMB200AHE3/5B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 171V |
Tension - Panne (Min) | 190V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 274V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2.2A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P6SMB200AHE3/5B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | P6SMB200AHE3/5B-FT |
SMBJ120CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ22CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ30CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ43CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ45CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ54CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ58CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ70CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ78CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMBJ85CD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation