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Référence fabricant | NXPSC10650DJ |
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Numéro de pièce future | FT-NXPSC10650DJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NXPSC10650DJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC10650DJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NXPSC10650DJ-FT |
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRM120ET1H
ON Semiconductor
MBRM120LT3H
ON Semiconductor
MBRM130LT1H
ON Semiconductor
MBRM140T1H
ON Semiconductor
MBRM140T3H
ON Semiconductor
MBRM760-13-F
Diodes Incorporated
MBRP745TU
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel