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Référence fabricant | NXPSC10650BJ |
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Numéro de pièce future | FT-NXPSC10650BJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NXPSC10650BJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC10650BJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NXPSC10650BJ-FT |
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
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MBRM120LT3H
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ON Semiconductor
MBRM140T3H
ON Semiconductor
MBRM760-13-F
Diodes Incorporated
A54SX32A-TQ144
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M1AFS1500-FGG484
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EP4CE15F17C8L
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5SGXEA7N3F40C2L
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LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
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LCMXO640C-4M100I
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EP1K30QC208-2N
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