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Référence fabricant | NXPSC08650DJ |
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Numéro de pièce future | FT-NXPSC08650DJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NXPSC08650DJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 230µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC08650DJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NXPSC08650DJ-FT |
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRM120ET1H
ON Semiconductor
MBRM120LT3H
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MBRM130LT1H
ON Semiconductor
MBRM140T1H
ON Semiconductor
XC2S200E-6PQ208I
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A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
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EP3C25U256A7N
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5SGSMD4E3H29I3N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
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LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
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