maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NXPSC04650Q
Référence fabricant | NXPSC04650Q |
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Numéro de pièce future | FT-NXPSC04650Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NXPSC04650Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 4A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NXPSC04650Q-FT |
CD214B-B330LF
Bourns Inc.
CD214B-B340LF
Bourns Inc.
CD214B-B350LF
Bourns Inc.
CD214B-B360LF
Bourns Inc.
CD214B-F2100
Bourns Inc.
CD214B-F2150
Bourns Inc.
CD214B-F2200
Bourns Inc.
CD214B-F2400
Bourns Inc.
CD214B-F250
Bourns Inc.
CD214B-F2600
Bourns Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation