maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NXPSC04650DJ
Référence fabricant | NXPSC04650DJ |
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Numéro de pièce future | FT-NXPSC04650DJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NXPSC04650DJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 4A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650DJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NXPSC04650DJ-FT |
MBRF10H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
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