maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NXPSC04650BJ
Référence fabricant | NXPSC04650BJ |
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Numéro de pièce future | FT-NXPSC04650BJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NXPSC04650BJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 4A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 170µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC04650BJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NXPSC04650BJ-FT |
MBRF10H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel