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Référence fabricant | NVTFS6H888NTAG |
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Numéro de pièce future | FT-NVTFS6H888NTAG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NVTFS6H888NTAG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Ta), 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 15µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.9W (Ta), 18W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVTFS6H888NTAG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVTFS6H888NTAG-FT |
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