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ON Semiconductor NVTFS6H854NTAG

Numéro de pièce MFG
NVTFS6H854NTAG
quantité disponible
49690 Pièces
Prix de référence
USD 0.38808
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
Automotive, AEC-Q101 TRENCH 8 80V NFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NVTFS6H854NTAG Caractéristiques

Référence fabricant NVTFS6H854NTAG
Numéro de pièce future FT-NVTFS6H854NTAG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
NVTFS6H854NTAG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 45µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 40V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS6H854NTAG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVTFS6H854NTAG-FT

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