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ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

Name: NVTFS6H850NTAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVTFS6H850NTAG
Price: 0.391912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (389 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVTFS6H850NTAG

quantité disponible: 85520 Pièces

Prix de référence: USD 0.391912

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVTFS6H850NTAG.pdf

NVTFS6H850NTAG Caractéristiques

Référence fabricant	NVTFS6H850NTAG
Numéro de pièce future	FT-NVTFS6H850NTAG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVTFS6H850NTAG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Ta), 68A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 70µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.2W (Ta), 107W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS6H850NTAG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVTFS6H850NTAG-FT

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