maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NVTFS4C10NWFTAG

| Référence fabricant | NVTFS4C10NWFTAG |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NVTFS4C10NWFTAG |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NVTFS4C10NWFTAG Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15.3A (Ta), 47A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 993pF @ 15V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 28W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVTFS4C10NWFTAG Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NVTFS4C10NWFTAG-FT |

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