maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NVMS10P02R2G
Référence fabricant | NVMS10P02R2G |
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Numéro de pièce future | FT-NVMS10P02R2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NVMS10P02R2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMS10P02R2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMS10P02R2G-FT |
NTB75N03R
ON Semiconductor
NTB75N03RG
ON Semiconductor
NTB75N03RT4
ON Semiconductor
NTB75N03RT4G
ON Semiconductor
NTB75N06G
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NTB75N06L
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NTB75N06LT4
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NTB75N06T4G
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP2AGX65CU17C4
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