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ON Semiconductor NVMFS6H801NWFT1G
- Numéro de pièce MFG
- NVMFS6H801NWFT1G
- quantité disponible
- 62780 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.997704
- Notre prix
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- Date d'expédition
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- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101 TRENCH 8 80V NFET
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NVMFS6H801NWFT1G.pdf
NVMFS6H801NWFT1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NVMFS6H801NWFT1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NVMFS6H801NWFT1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| NVMFS6H801NWFT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Ta), 157A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4120pF @ 40V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 166W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquet / caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFS6H801NWFT1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NVMFS6H801NWFT1G-FT |
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