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Référence fabricant | NVMFS5C645NLWFAFT3G |
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Numéro de pièce future | FT-NVMFS5C645NLWFAFT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C645NLWFAFT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta), 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C645NLWFAFT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMFS5C645NLWFAFT3G-FT |
NVMFS5C404NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFT1G
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NVMFS5C404NWFT3G
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NVMFS5C406NT1G
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NVMFS5C406NWFT1G
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NVMFS5C410NAFT3G
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NVMFS5C410NLAFT3G
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NVMFS5C410NLT1G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel