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ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFT1G

Name: NVMFS5C612NLWFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5C612NLWFT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (654 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMFS5C612NLWFT1G

quantité disponible: 20240 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMFS5C612NLWFT1G.pdf

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NVMFS5C612NLWFT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NVMFS5C612NLWFT1G
Numéro de pièce future	FT-NVMFS5C612NLWFT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NVMFS5C612NLWFT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	36A (Ta), 235A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLWFT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMFS5C612NLWFT1G-FT

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