maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NVMFS5C410NWFT3G

| Référence fabricant | NVMFS5C410NWFT3G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NVMFS5C410NWFT3G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NVMFS5C410NWFT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.92 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.9W (Ta), 166W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFS5C410NWFT3G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NVMFS5C410NWFT3G-FT |

NTMFS4845NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4846NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4846NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4847NAT1G
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NTMFS4851NT1G
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NTMFS4851NT3G
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XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.

XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.

M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation

A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation

5SGXMB6R2F40I2LN
Intel

EP4SGX360NF45C3N
Intel

XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.

5CGXFC9A6U19A7N
Intel

EP2AGX65CU17C4G
Intel

5AGXFB1H4F35C4N
Intel