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ON Semiconductor NVMFD5C650NLWFT1G

Name: NVMFD5C650NLWFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFD5C650NLWFT1G
Price: 0.96108 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (524 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMFD5C650NLWFT1G

quantité disponible: 35230 Pièces

Prix de référence: USD 0.96108

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMFD5C650NLWFT1G.pdf

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NVMFD5C650NLWFT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NVMFD5C650NLWFT1G
Numéro de pièce future	FT-NVMFD5C650NLWFT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVMFD5C650NLWFT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 98µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2546pF @ 25V
Puissance - Max	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFD5C650NLWFT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMFD5C650NLWFT1G-FT

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