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ON Semiconductor NVMFD5873NLWFT1G

Numéro de pièce MFG
NVMFD5873NLWFT1G
quantité disponible
87120 Pièces
Prix de référence
USD 0.897416
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NVMFD5873NLWFT1G.pdf
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NVMFD5873NLWFT1G Caractéristiques

Référence fabricant NVMFD5873NLWFT1G
Numéro de pièce future FT-NVMFD5873NLWFT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NVMFD5873NLWFT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Puissance - Max 3.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFD5873NLWFT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVMFD5873NLWFT1G-FT

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