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ON Semiconductor NVF3055-100T1G
- Numéro de pièce MFG
- NVF3055-100T1G
- quantité disponible
- 90710 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.314832
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- Date d'expédition
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- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NVF3055-100T1G.pdf
NVF3055-100T1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NVF3055-100T1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NVF3055-100T1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| NVF3055-100T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
| Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVF3055-100T1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NVF3055-100T1G-FT |
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