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ON Semiconductor NVD3055-094T4G-VF01

Name: NVD3055-094T4G-VF01
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD3055-094T4G-VF01
Price: 0.318488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (77 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVD3055-094T4G-VF01

quantité disponible: 15690 Pièces

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fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVD3055-094T4G-VF01.pdf

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NVD3055-094T4G-VF01 Caractéristiques

Référence fabricant	NVD3055-094T4G-VF01
Numéro de pièce future	FT-NVD3055-094T4G-VF01
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NVD3055-094T4G-VF01 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta), 48W (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD3055-094T4G-VF01 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVD3055-094T4G-VF01-FT

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