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ON Semiconductor NVB072N65S3

Name: NVB072N65S3
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVB072N65S3
Price: 2.718144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (285 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVB072N65S3

quantité disponible: 14510 Pièces

Prix de référence: USD 2.718144

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® SUPERFET3 650V D2PAK PKG

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVB072N65S3.pdf

NVB072N65S3 Caractéristiques

Référence fabricant	NVB072N65S3
Numéro de pièce future	FT-NVB072N65S3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
NVB072N65S3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	312W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK-3 (TO-263)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVB072N65S3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVB072N65S3-FT

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