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ON Semiconductor NVATS5A113PLZT4G

Name: NVATS5A113PLZT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVATS5A113PLZT4G
Price: 0.487752 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (108 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVATS5A113PLZT4G

quantité disponible: 61330 Pièces

Prix de référence: USD 0.487752

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVATS5A113PLZT4G.pdf

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NVATS5A113PLZT4G Caractéristiques

Référence fabricant	NVATS5A113PLZT4G
Numéro de pièce future	FT-NVATS5A113PLZT4G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NVATS5A113PLZT4G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	38A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	ATPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVATS5A113PLZT4G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVATS5A113PLZT4G-FT

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