maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTTFS6H850NTAG
Référence fabricant | NTTFS6H850NTAG |
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Numéro de pièce future | FT-NTTFS6H850NTAG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTTFS6H850NTAG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta), 68A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTTFS6H850NTAG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTTFS6H850NTAG-FT |
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