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ON Semiconductor NTTFS5811NLTWG

Name: NTTFS5811NLTWG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTTFS5811NLTWG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (687 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTTFS5811NLTWG

quantité disponible: 80780 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTTFS5811NLTWG.pdf

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NTTFS5811NLTWG Caractéristiques

Référence fabricant	NTTFS5811NLTWG
Numéro de pièce future	FT-NTTFS5811NLTWG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTTFS5811NLTWG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17A (Ta), 53A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1570pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.7W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTTFS5811NLTWG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTTFS5811NLTWG-FT

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