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NTP082N65S3F Image

ON Semiconductor NTP082N65S3F

Numéro de pièce MFG
NTP082N65S3F
quantité disponible
22640 Pièces
Prix de référence
USD 4.416
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 82 MOHM TO220 P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTP082N65S3F.pdf
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NTP082N65S3F Caractéristiques

Référence fabricant NTP082N65S3F
Numéro de pièce future FT-NTP082N65S3F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FRFET®, SuperFET® II
NTP082N65S3F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3410pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 313W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTP082N65S3F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTP082N65S3F-FT

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