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ON Semiconductor NTMSD6N303R2SG

Numéro de pièce MFG
NTMSD6N303R2SG
quantité disponible
51090 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
FETKY™ MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTMSD6N303R2SG Caractéristiques

Référence fabricant NTMSD6N303R2SG
Numéro de pièce future FT-NTMSD6N303R2SG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FETKY™
NTMSD6N303R2SG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD6N303R2SG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTMSD6N303R2SG-FT

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