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NTMSD2P102R2 Image

ON Semiconductor NTMSD2P102R2

Numéro de pièce MFG
NTMSD2P102R2
quantité disponible
58760 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTMSD2P102R2.pdf
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NTMSD2P102R2 Caractéristiques

Référence fabricant NTMSD2P102R2
Numéro de pièce future FT-NTMSD2P102R2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTMSD2P102R2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD2P102R2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTMSD2P102R2-FT

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